零点快讯社2026年08月19日 12:13消息，三星计划2026年9月完成1D nm DRAM研发。
据韩媒thebell当地时间8月13日报道，业内消息人士透露，三星电子计划于2026年9月率先完成1DNM DRAM内存的研发，随后在2026年12月进入量产转移阶段，并于2027年上半年启动生产线建设，预计2027年底实现首批量产。 从技术发展角度看，三星在存储芯片领域的持续投入和领先布局，显示出其在全球半导体市场中的重要地位。1DNM工艺的突破不仅意味着更高的集成度和性能提升，也预示着未来存储产品成本可能进一步下降，从而推动整个行业的发展。不过，这一进程仍需面对技术挑战和市场不确定性，能否如期推进仍需持续关注。
SK海力士此前在行业内率先完成1纳米节点DRAM的研发，而三星电子则试图在1.0纳米阶段重新夺回“技术领先”的地位。与此同时，三星电子已计划将1.0纳米DRAM芯片应用于HBM5E内存，提前完成底层技术的布局，为后续HBM产品的推出奠定坚实基础。
与此同时，SK海力士的1Dnm DRAM目前正处于热测试良率提升阶段，预计将在2026年12月完成研发。这一进展标志着该技术在量产道路上正逐步突破关键瓶颈，为未来高性能存储芯片的广泛应用奠定了基础。作为行业观察者，我认为此次良率的提升不仅关系到产品性能的稳定性，也直接影响到后续的市场竞争力和成本控制。若能如期完成研发，SK海力士有望在下一代存储技术领域占据更有利的位置。
不过，三星电子与SK海力士的1D-NAND DRAM技术目前仍处于早期发展阶段，整体产品成熟度距离量产目标仍有较大提升空间。
