零点快讯社2025年11月14日 13:07消息，TrendForce：2026年存储产业资本支出仍显保守，对产能提升助力有限。
TrendForce集邦咨询昨日发布报告指出，根据其调查，存储产业在2026年的资本支出仍保持谨慎态度，这意味着明年DRAM和NAND的比特产出增长将缺乏足够支撑，市场供不应求的情况短期内难以出现根本性改变。 从当前行业趋势来看，企业对投资的审慎态度反映出对未来市场需求的不确定性。尽管技术持续进步，但资本开支的保守策略可能会影响产能扩张的速度，进而影响市场供需平衡。这种态势或将延续至2026年，使得存储价格波动和供应紧张的局面难以快速缓解。
在DRAM内存领域，尽管三星电子和SK海力士仍有机会小幅扩大产能，但美光若想扩产，则需等待其位于美国爱达荷州博伊西的ID1新晶圆厂建成。而在NAND存储领域，铠侠-闪迪与美光都将加大投资力度，相比之下，三星电子和SK系则选择暂时保持观望，不进行大规模扩张。 从当前行业动态来看，不同厂商在存储芯片市场的战略差异愈发明显。美光在北美布局的推进，反映出其对本土供应链安全的重视，同时也为未来竞争埋下伏笔。而三星与SK海力士的相对保守策略，或许是在等待市场更清晰的信号，或是为后续的技术升级预留空间。这种分化趋势或将影响全球存储行业的格局演变。
机构预计，2026年，全球DRAM产业的资本支出预计将达到613亿美元，同比增长14%（约合4352.55亿元人民币）；而NAND产业的资本支出也预计将增长5%，达到222亿美元（约合1576.29亿元人民币）。从数据来看，存储芯片行业在明年仍保持扩张态势，尤其是DRAM领域，显示出更强的增长动力。 从市场趋势看，随着人工智能、云计算和高性能计算等应用的持续发展，对高性能内存的需求将持续上升。这种需求拉动将推动企业加大在先进制程和产能上的投入。不过，也要注意到，资本支出的增加并不一定意味着利润同步提升，市场供需关系、价格波动以及技术迭代速度仍是影响行业发展的关键因素。当前正值2025年11月，距离2026年还有不到一年时间，市场各方正在为新一轮的增长周期做准备。
整体来看，几大存储原厂的投资重点正在发生明显变化，不再仅仅聚焦于扩大产能，而是更多转向制程技术的提升、高层数堆叠工艺以及混合键合技术的研发，同时将资源集中于HBM等高附加值产品的开发与优化。 从行业发展趋势来看，这种转变反映了存储产业正朝着更高性能、更复杂结构的方向演进。随着人工智能、高性能计算等领域的快速发展，市场对高速、大容量存储的需求持续增长，推动企业加快技术升级步伐。在这一背景下，单纯依靠扩大产能已难以维持竞争优势，唯有通过技术创新和产品结构优化，才能在未来竞争中占据有利位置。
